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2SK3481
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
120
Pulsed
100
Pulsed
100
10
80
60
V GS = 4.5 V
10 V
1
V GS = 10 V
0V
40
0.1
20
I D = 15 A
0
? 50
0
50
100
150
0.01
0
0.5
1.0
1.5
10000
T ch - Channel Temperature - ? C
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
C iss
1000
V SD - Source to Drain Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
1000
100
t d(off)
C oss
t d(on)
100
C rss
10
t r
t f
10
R G = 0 ?
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0.01 0.1
1
10
100
V DD = 50 V
V GS = 10 V
1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
di/dt = 100 A/ μ s
100
10
V GS = 0 V
100
80
60
V DD = 80 V
50 V
20 V
V GS
8
6
10
40
20
V DS
4
2
1
0
I D = 30 A
0
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
I F - Drain Current - A
Data Sheet D15063EJ1V0DS
Q G - Gate Charge - nC
5
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